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Wittmaack, K.

On the mechanism of cluster emission in sputtering.

Phys. Lett. A 69, 322-325 (1979)
DOI
Open Access Green möglich sobald Postprint bei der ZB eingereicht worden ist.
The intensity and the energy distribution of Si+ n cluster ions emitted from clean silicon have been measured for different target orientations as a function of the primary ion energy (3-30 keV) and the projectile mass (noble gas ion bombardment). The results favour the idea that clusters are emitted as such rather than being produced by vacuum recombination of individually emitted atoms and ions.
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Publikationstyp Artikel: Journalartikel
Dokumenttyp Wissenschaftlicher Artikel
Sprache englisch
Veröffentlichungsjahr 1979
HGF-Berichtsjahr 0
ISSN (print) / ISBN 0375-9601
e-ISSN 1873-2429
Zeitschrift Physics Letters A
Quellenangaben Band: 69, Heft: 5, Seiten: 322-325 Artikelnummer: , Supplement: ,
Verlag Elsevier
Begutachtungsstatus Peer reviewed
DOI 10.1016/0375-9601(79)90421-3
Scopus ID 0001514547
Erfassungsdatum 1979-12-12
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