Startseite
English
Erweiterte Suche
Durchblättern nach ...
Publikationen im Überblick
Ansprechpartner
Hilfe
Im Bibliotheksbestand vorhanden
DOI
 |
|
Open Access Green möglich sobald Postprint bei der ZB eingereicht worden ist.
Radiation-enhanced outdiffusion of xenon implanted in aluminum.
Appl. Phys. Lett. 31, 21-23 (1977)
Im Bibliotheksbestand vorhanden
DOI
Entrapment of 10-160-keV xenon implanted under UHV conditions in polycrystalline aluminum has been investigated by Rutherford backscattering. The saturation xenon distributions were found to be strongly affected by radiation-enhanced outdiffusion. Different from silicon the loss of xenon from near-surface regions of aluminum increases with increasing ion energy. The results are explained in terms of spike-activated diffusion.
Altmetric
Weitere Metriken?
Zusatzinfos bearbeiten
[➜Einloggen]
Publikationstyp
Artikel: Journalartikel
Dokumenttyp
Wissenschaftlicher Artikel
ISSN (print) / ISBN
0003-6951
e-ISSN
1077-3118
Zeitschrift
Applied Physics Letters
Quellenangaben
Band: 31,
Heft: 1,
Seiten: 21-23
Verlag
American Institute of Physics (AIP)
Nichtpatentliteratur
Publikationen
Begutachtungsstatus
Peer reviewed
Institut(e)
Physikalisch-Technische Abteilung