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DOI
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Open Access Green möglich sobald Postprint bei der ZB eingereicht worden ist.
Determination of implantation profiles in solids by secondary ion mass spectrometry.
Phys. Lett. A 41, 177-178 (1972)
Secondary ion mass spectrometry has been applied to a determination of theprofile of 22 keV boron implanted in amorphous silicon. A Gaussian range distribution is observed with a projected range of 840 Å and a standard deviation of 340 Å.
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Publikationstyp
Artikel: Journalartikel
Dokumenttyp
Wissenschaftlicher Artikel
ISSN (print) / ISBN
0375-9601
e-ISSN
1873-2429
Zeitschrift
Physics Letters A
Quellenangaben
Band: 41,
Heft: 2,
Seiten: 177-178
Verlag
Elsevier
Nichtpatentliteratur
Publikationen
Begutachtungsstatus
Peer reviewed
Institut(e)
Physikalisch-Technische Abteilung