Startseite
English
Erweiterte Suche
Durchblättern nach ...
Publikationen im Überblick
Ansprechpartner
Hilfe
DOI
 |
|
Open Access Green möglich sobald Postprint bei der ZB eingereicht worden ist.
Range parameter distortion in heavy ion implantation.
Phys. Lett. A 54, 33-34 (1975)
20 to 145 keV xenon range profiles in silicon have been determined as a function of the implantation fluence. Shortening of the most probable projected range and increase in range straggling were observed at fluences usually implanted for range measurements by means of the back-scattering technique.
Altmetric
Weitere Metriken?
Zusatzinfos bearbeiten
[➜Einloggen]
Publikationstyp
Artikel: Journalartikel
Dokumenttyp
Wissenschaftlicher Artikel
ISSN (print) / ISBN
0375-9601
e-ISSN
1873-2429
Zeitschrift
Physics Letters A
Quellenangaben
Band: 54,
Heft: 1,
Seiten: 33-34
Verlag
Elsevier
Nichtpatentliteratur
Publikationen
Begutachtungsstatus
Peer reviewed
Institut(e)
Physikalisch-Technische Abteilung