PuSH - Publikationsserver des Helmholtz Zentrums München

Non-Gaussian range profiles in amorphous solids.

Phys. Lett. A 43, 477-478 (1973)
DOI
Open Access Green möglich sobald Postprint bei der ZB eingereicht worden ist.
Range profiles of boron in amorphous silicon exhibit pronounced deviations from Gaussian at energies above about 40 keV due to increasing electronic stopping. A detailed comparison with computed profiles allows a semiempirical determination of the electronic stopping cross section (Se ≈ E0.4).
Altmetric
Weitere Metriken?
Zusatzinfos bearbeiten [➜Einloggen]
Publikationstyp Artikel: Journalartikel
Dokumenttyp Wissenschaftlicher Artikel
Korrespondenzautor
ISSN (print) / ISBN 0375-9601
e-ISSN 1873-2429
Zeitschrift Physics Letters A
Quellenangaben Band: 43, Heft: 6, Seiten: 477-478 Artikelnummer: , Supplement: ,
Verlag Elsevier
Nichtpatentliteratur Publikationen
Begutachtungsstatus Peer reviewed
Institut(e) Physikalisch-Technische Abteilung