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Non-Gaussian range profiles in amorphous solids.
Phys. Lett. A 43, 477-478 (1973)
Range profiles of boron in amorphous silicon exhibit pronounced deviations from Gaussian at energies above about 40 keV due to increasing electronic stopping. A detailed comparison with computed profiles allows a semiempirical determination of the electronic stopping cross section (Se ≈ E0.4).
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Publikationstyp
Artikel: Journalartikel
Dokumenttyp
Wissenschaftlicher Artikel
ISSN (print) / ISBN
0375-9601
e-ISSN
1873-2429
Zeitschrift
Physics Letters A
Quellenangaben
Band: 43,
Heft: 6,
Seiten: 477-478
Verlag
Elsevier
Nichtpatentliteratur
Publikationen
Begutachtungsstatus
Peer reviewed
Institut(e)
Physikalisch-Technische Abteilung