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DOI
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Open Access Green möglich sobald Postprint bei der ZB eingereicht worden ist.
Ionization mechanism of H+ sputtered from hydrogenated silicon.
Phys. Rev. Lett. 43, 872-875 (1979)
The emission of H+ sputtered from hydrogenated amorphous silicon has been studied for 3- to 30-keV noble-gas-ion bombardment. The results suggest that excited silicon atoms can be emitted as (Si2pH)+ molecules. Auger deexcitation in vacuum results in (SiH)2+ which disintegrates into Si+ and H+ with a corresponding gain in kinetic energy due to Coulomb explosion. Direct emission of H+ is important only at H+ energies > 30 eV or at bombardment energies <3 keV.
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Publikationstyp
Artikel: Journalartikel
Dokumenttyp
Wissenschaftlicher Artikel
ISSN (print) / ISBN
0031-9007
e-ISSN
1079-7114
Zeitschrift
Physical Review Letters
Quellenangaben
Band: 43,
Heft: 12,
Seiten: 872-875
Verlag
American Physical Society (APS)
Nichtpatentliteratur
Publikationen
Begutachtungsstatus
Peer reviewed
Institut(e)
Physikalisch-Technische Abteilung