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Wittmaack, K.

In situ observation of gas reemission and blister rupture during helium implantation in silicon.

Appl. Phys. Lett. 52, 1836-1841 (2009)
DOI
Open Access Green möglich sobald Postprint bei der ZB eingereicht worden ist.
Gas phase ionization mass spectrometry is shown to provide means for exploring the processes that control the retention of 10 keV He+ implanted in Si at 45°. Blistering, observed in situ, was preceded by a long period of bombardment (70% of the critical fluence for blistering) during which implanted He was released at a rather high rate (~33% of the incident He flux). Assisted by the stress due to the growing bubbles, bombardment induced detrapping allows a large fraction of the implanted He atoms to migrate to the nearby surface and escape into vacuum.
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Publikationstyp Artikel: Journalartikel
Dokumenttyp Wissenschaftlicher Artikel
Schlagwörter bubbles; elemental semiconductors; fracture; helium; ion implantation; mass spectroscopy; silicon
Sprache englisch
Veröffentlichungsjahr 2009
HGF-Berichtsjahr 2009
ISSN (print) / ISBN 0003-6951
e-ISSN 1077-3118
Zeitschrift Applied Physics Letters
Quellenangaben Band: 52, Heft: 5, Seiten: 1836-1841 Artikelnummer: , Supplement: ,
Verlag American Institute of Physics (AIP)
Begutachtungsstatus Peer reviewed
Institut(e) Institute of Radiation Protection (ISS)
POF Topic(s) 30504 - Mechanisms of Genetic and Environmental Influences on Health and Disease
Forschungsfeld(er) Radiation Sciences
PSP-Element(e) G-501100-006
DOI 10.1063/1.2839601
Scopus ID 38949165370
Erfassungsdatum 2009-09-10
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