Startseite
English
Erweiterte Suche
Durchblättern nach ...
Publikationen im Überblick
Ansprechpartner
Hilfe
 |
|
möglich sobald bei der ZB eingereicht worden ist.
Analytical description of the sputtering yields of silicon bombarded with normally incident ions.
Phys. Rev. B Condens. Matter 68, 235211/1-235211-11 (2003)
Publikationstyp
Artikel: Journalartikel
Dokumenttyp
Wissenschaftlicher Artikel
ISSN (print) / ISBN
0163-1829
e-ISSN
1095-3795
Zeitschrift
Physical Review B
Quellenangaben
Band: 68,
Seiten: 235211/1-235211-11
Verlag
American Physical Society (APS)
Nichtpatentliteratur
Publikationen
Begutachtungsstatus
Peer reviewed
Institut(e)
Institute of Radiation Protection (ISS)