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Radiation-enhanced outdiffusion of xenon implanted in aluminum.
Appl. Phys. Lett. 31, 21-23 (1977)
Im Bibliotheksbestand vorhanden
DOI
Entrapment of 10-160-keV xenon implanted under UHV conditions in polycrystalline aluminum has been investigated by Rutherford backscattering. The saturation xenon distributions were found to be strongly affected by radiation-enhanced outdiffusion. Different from silicon the loss of xenon from near-surface regions of aluminum increases with increasing ion energy. The results are explained in terms of spike-activated diffusion.
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19
Anmerkungen
Besondere Publikation
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Publikationstyp
Artikel: Journalartikel
Dokumenttyp
Wissenschaftlicher Artikel
Sprache
englisch
Veröffentlichungsjahr
1977
HGF-Berichtsjahr
0
ISSN (print) / ISBN
0003-6951
e-ISSN
1077-3118
Zeitschrift
Applied Physics Letters
Quellenangaben
Band: 31,
Heft: 1,
Seiten: 21-23
Verlag
American Institute of Physics (AIP)
Begutachtungsstatus
Peer reviewed
Institut(e)
Physikalisch-Technische Abteilung
DOI
10.1063/1.89485
Scopus ID
36749121564
Erfassungsdatum
1977-04-20