Hinweise zu Qualitätskriterien von Zeitschriften
Open-Access-Richtlinie der Helmholtz-Gemeinschaft 2016
CC Licencences
Metriken für Publikationen
Startseite
Login
English
Neuer EVA Antrag
Erweiterte Suche
Durchblättern nach ...
Publikationen im Überblick
HGF Fortschrittsbericht
OA Publikationen
Neue Publikation eintragen
Neue Publikation holen aus...
Fehlende Publikation melden
Ansprechpartner
Hilfe
Bibliometrische Indikatoren
Text
Endnote (RIS)
BibTeX |
|
möglich sobald bei der ZB eingereicht worden ist.
Analytical description of the sputtering yields of silicon bombarded with normally incident ions.
Phys. Rev. B Condens. Matter 68, 235211/1-235211-11 (2003)
Impact Factor
Scopus SNIP
3.327
0.000
Anmerkungen
Besondere Publikation
Auf Hompepage verbergern
Publikationstyp
Artikel: Journalartikel
Dokumenttyp
Wissenschaftlicher Artikel
Sprache
englisch
Veröffentlichungsjahr
2003
HGF-Berichtsjahr
0
ISSN (print) / ISBN
0163-1829
e-ISSN
1095-3795
Zeitschrift
Physical Review B
Quellenangaben
Band: 68,
Seiten: 235211/1-235211-11
Verlag
American Physical Society (APS)
Begutachtungsstatus
Peer reviewed
Institut(e)
Institute of Radiation Protection (ISS)
POF Topic(s)
30504 - Mechanisms of Genetic and Environmental Influences on Health and Disease
Forschungsfeld(er)
Radiation Sciences
PSP-Element(e)
G-501100-006
Erfassungsdatum
2003-12-31